系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标
型号 |
JGP-450 |
真空室尺寸 |
圆筒型真空室，Ф450 x350mm |
真空系统配置 |
复合分子泵、机械泵、闸板阀 |
磁控靶组件 |
永磁靶3套 靶材尺寸Φ60mm (其中一个可以溅射磁性材料) 各靶射频溅射与直流溅射兼容 三个靶可共同折向上面的样品中心，靶与样品距离90-110mm可调 当直接向上溅射时，靶与样品距离40-80mm可调 |
单机片水冷加热台 |
基片结构 |
基片加热与水冷独立工作，取下加热炉可以换上水冷基片台 |
样品尺寸 |
Φ30mm |
加热 |
基片加热最高温度600°C±1°C |
基片负偏压 |
-200V |
气路系统 |
质量流量控制器2路 |
计算机控制系统 |
控制样品转动、挡板开关、靶位确认等 |
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